半导体三极管的特性曲线 输入特性曲线一iB-(vgE)=常数 cB/HA 80 25°c i是输入电流, BE 是加在B、E CE 40 BE 两极间的输电压。 。20 9.2040.608 VBEAV 导通电压」锗管0103y硅管0608V 共发射极接法的输入特性曲线其中vcε=0V的那一条相当于 发射结的正向特性曲线,当vc≥1V时,vB=vc-vBE>0,集 电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, lB增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vc再增加时,曲 线右移很不明显。半导体三极管的特性曲线 iB是输入电流， vBE是加在B、E 两极间的输电压。 输入特性曲线— iB =f(vBE) vCE= 常数 共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于 发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集 电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲 线右移很不明显。 导通电压 锗管 0.1~0.3V 硅管 0.6~0.8V