使p型半导体和n型半导体相接触，或在本征 半导体两端各掺入施主杂质和受主杂质，它们交 界处的结构称为pn结。 p区空穴多电子少，n区电子多空穴少，因此p 区中的空穴将向n区扩散，n区的电子将向p区扩 散，在交界处形成正负电荷的积累层，在区的一 侧带负电，在区的一侧带正电，这一电偶层形成 的电场将遏止电子和空穴的继续扩散，最后达到 动态平衡。 在pn结处形成一定的电势差Uo。 士美子文返回退此上页 下页 返回 退出 使p型半导体和n型半导体相接触，或在本征 半导体两端各掺入施主杂质和受主杂质，它们交 界处的结构称为pn结。 p区空穴多电子少，n区电子多空穴少，因此p 区中的空穴将向n区扩散，n区的电子将向p区扩 散，在交界处形成正负电荷的积累层，在p区的一 侧带负电，在n区的一侧带正电，这一电偶层形成 的电场将遏止电子和空穴的继续扩散，最后达到 动态平衡。 在pn结处形成一定的电势差 U0