点击下载：《电子电路基础》第四章 晶体管及其小信号放大——双极型晶体管（BJT）§ 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号
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制造工艺上的特点 集电区: C°集电极 面积较大 基区:较薄 B P 掺杂浓度低 基极 发射区:掺 杂浓度较高 发射极3 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄， 掺杂浓度低 集电区： 面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 制造工艺上的特点
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点击下载：《电子电路基础》第四章 晶体管及其小信号放大——双极型晶体管（BJT）§ 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号
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