34.2二极管电路的简化模型分析方法「 1.二极管VⅠ特性的建模 (4)小信号模型 过Q点的切线可以等效成 △iD △iD 个微变电阻 △U D 根据i=ls(e /V 1) (a)V特性(b)电路模型 得Q点处的微变电导 D S.Up/V D gd dvD Q e 则 常温下(P300K) 26(mV Ip ID(mA) HOME BACKNEXT3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （4）小信号模型 过Q点的切线可以等效成 一个微变电阻 D D d i r    v 即 (e 1) / D S D   VT i I 根据 v 得Q点处的微变电导 Q i g D D d d d v  Q V T T V IS D / e v  VT I D  d d 1 g 则 r  D I VT  常温下（T=300K） (mA) 26(mV) D D d I I V r T   Q VT iD  （a）V-I特性 （b）电路模型