■由第二章的厄利电压V的定义可知 △, ,+V 即 CEO Q 因为VmQ<4所以可近似表示为 可知,恒流源内阻可由BJT集电极直流电流近似确定 因为BJT在放大区,(g=Bn 所以图63所示的恒流源模型由BJT基极电流B0确定 而基极电流又是由发射结电压决定,在集成电路中,所 有恒流源的实现电路都是通过控制发射结电压来实现的。 ●●●●00● ●●●●●●●● ●●●●●●●◼ 由第二章的厄利电压 的定义可知. VA CEQ CQ V I  +  CE A C v V i ＝ CQ 0 I r VA +VCEQ 即 ＝ 因为 VCEQ VA 所以 r 0 可近似表示为 CQ 0 I r VA ＝ 可知,恒流源内阻可由BJT集电极直流电流近似确定 因为BJT在放大区， CQ BQ I = I 所以图6.3所示的恒流源模型由BJT基极电流 BQ I 确定 。 而基极电流又是由发射结电压决定，在集成电路中，所 有恒流源的实现电路都是通过控制发射结电压来实现的