瓷介电容器(CC) 结构:用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经 高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分1类电介质(NPO、CCG) );2类电介质(X7R、2X1)和3类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。 特点:1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等 优点。最大容量不超过1000p,常用的有CC1、CC2、CC18A、CC1l、 CCG等系列。 用途:主要应于高频电路中 特点:2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大(最大 可达0.47F)、体积小、损耗和绝缘性能较1类的差 用途:广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器 使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 473 外型 实例瓷介电容器（CC） 结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经 高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分1 类电介质（NPO、CCG） ）；2 类电介质（X7R、2X1）和3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 特点：1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等 优点。最大容量不超过1 000 pF，常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、 CCG等系列。 用途：主要应用于高频电路中。 特点：2、3 类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高，容量大（最大 可达0.47 μF)、体积小、 损耗和绝缘性能较1 类的差。 用途：广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器 使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 外型 实例