3)VGs↑=V GST Vs=0 DS Vos↑→表面层感应负电荷↑ →耗尽层↑→耗尽层上面的 表面层内感应自由电子浓度n个 空穴浓度p→形成反型层→ 产生导电沟道。 G *1反型条件: n≈NAP=≈x-<n ●●●●」N nN *2反型层 *3开启电压Vcsr3） VGS ↑ =VGST VDS ＝0 VGS ↑→表面层感应负电荷↑ →耗尽层↑→耗尽层上面的 表面层内感应自由电子浓度n↑ 空穴浓度p↓→形成反型层→ 产生导电沟道。 *1 反型条件： *2 反型层 *3 开启电压VGST U S G D P + N+ N+ P VGS VDS n N n n n n N p A i i A  2 2  = 