二、非稳态Mos的物理性质 ■当UG>Uth一开始,由于电子尚未来得 及产生,MOS结构只存在“势阱” 随后,热激发产生的电子在电场的作用下 乡表面集聚,势阱中的电子不断增多, 最后达到热平衡稳态。 GCD就是在MOS电容器未达到热平衡之前 利用深耗层区来存储和转移信号的。 见图3-3所示。二、非稳态MOS的物理性质 ◼ 当UG >Uth一开始，由于电子尚未来得 及产生，MOS结构只存在“势阱” 。 随后，热激发产生的电子在电场的作用下 乡表面集聚，势阱中的电子不断增多， 最后达到热平衡—稳态。 CCD就是在MOS电容器未达到热平衡之前， 利用深耗层区来存储和转移信号的。 见图3-3所示