23.2二极管的伏安特性 R 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 iD=ls(eDT-l) mA iD 正向特性 反向特性 10 60 20 30-20-100|0.20.40.60.8 Um 02040.6 10 死区 反向击穿特性 dHA 硅二极管2CP10的VI特性 锗二极管2AP15的特性 HOME BACK NEXT2.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 ( 1) / D S D = − v VT i I e −30 −20 −10 0 0.2 0.4 0.6 0.8  D/V −40 5 10 15 20 −10 −20 −30 −40 iD/A iD/mA 死区 V Vth BR 硅二极管2CP10的V-I 特性 0 0.2 0.4 0.6  D/V −60 −40 −20 5 10 15 20 −10 −20 −30 −40 iD/A iD/mA ② ① ③ Vth VBR 锗二极管2AP15的V-I 特性 + iD vD - R 正向特性 反向特性 反向击穿特性