TH H 2章双极型晶体管及其放大电路 发射区向基区注入电子 由于e结正偏,因而结两侧多子的扩散占优势,这 时发射区电子源源不断地越过e结注入到基区,形成电 子注入电流/N。与此同时,基区空穴也向发射区注入, 形成空穴注入电流lEp。因为发射区相对基区是重掺杂, 基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度,所以满足 1p<<lN,可忽略不计。因此,发射极电流l≈lN, 其方向与电子注入方向相反。第2章 双极型晶体管及其放大电路 一、发射区向基区注入电子 由于e结正偏，因而结两侧多子的扩散占优势，这 时发射区电子源源不断地越过e结注入到基区，形成电 子注入电流IEN。与此同时，基区空穴也向发射区注入， 形成空穴注入电流IEP。因为发射区相对基区是重掺杂， 基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以满足 IEP << IEN ，可忽略不计。因此，发射极电流IE≈IEN， 其方向与电子注入方向相反