Ies. B4 ③饱和区 CC 临界饱和状态 B=0 B BR B VcES S-CC 过饱和状态 R VCcg=-lCRc≈ VcE饱和压降 CES典型值:硅管0.3V锗管0.1V③ 饱和区   C C CC B I R V I = = 临界饱和状态 C CC B R V I   过饱和状态 CE CC C RC VCES V =V − I  VCES 饱和压降 VCES 典型值 : 硅管 0.3V 锗管 0.1V