数字辑电暗教学课程 2.1.2半导体三极管的开关特性 R (1)饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件: CS CC B=1Bs一 βRC 三极管开关电路 饱和导通时的特点 B0VⅤcE=ⅤcEs=0.1~0.3V 发射极和集电极之间如同闭合的开关 Nanjing University of Science TechnologyIC RC Rb IB Vi Vo Vcc 三极管开关电路 (1) 饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件: IB≥IBS= ICS β ≈ VCC βRC 饱和导通时的特点: VBE≈0.7V VCE=VCES=0.1~0.3V 发射极和集电极之间如同闭合的开关 2.1.2 半导体三极管的开关特性