本征载流子浓度 在一定温度下,当没有其它能量存在时,电 子、空穴对的产生与复合最终会达到—种热平衡 状态,使本征半导体中载流子的浓度一定。理论 分析表明,本征载流子的浓度为 n=pi=Aot/e 2,-EG0/2kT 式中n1,D分别表示电子和空穴的浓度(cm3);T为热力学温 度(K);F为/0K时的禁带宽度(硅为1.21eV,锗为0.78eV);k为 玻尔兹曼常数(8.63×10-6V/);A是与半导体材料有关的常数 (硅为3.87×1016cm3·3/2,锗为1.76×1016cm-3K-3/2)。本征载流子浓度 E kT i i G n p A T e 3/ 2 / 2 0 − 0 = = 式中ni,pi分别表示电子和空穴的浓度(cm–3 )；T为热力学温 度(K)；EG0为T=0K时的禁带宽度(硅为1.21eV,锗为0.78eV)；k为 玻尔兹曼常数(8.63×10–6 V/K)；A0是与半导体材料有关的常数 (硅为3.87×1016cm-3·K -3/2 ，锗为1.76×1016cm-3·K -3/2)。 在一定温度下，当没有其它能量存在时，电 子、空穴对的产生与复合最终会达到一种热平衡 状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。理论 分析表明，本征载流子的浓度为