电子成为带正电荷的磷离子(但其束缚在晶格中,不能移动,不能象载流子, 那样起导电作用),因其施放电子,故称施主杂质。与本征激发相比,N型 半导体中自由电子浓度大大增加,而空穴因与自由电子相遇而复合机会增加 浓度反而更小了。杂质半导体中载流子浓度不再相等,多的称为多数载流子 又称多子,少的称为少数载流子,又称少子。 2、P型半导体:硼只有三个价电子,在与相邻的硅原子形成共价键时,缺少 个价电子,因而形成一个空穴,这个空穴不是释放价电子形成的,不会同时 产生自由电子,而自由电子因与空穴相遇而复合机会增加浓度反而更小了。 当空穴由相邻共价键中的价电子填补时(相当于空穴移动),硼原子由于接 受一个电子成为带负电的硼离子(受主杂质能级比较低,接近价带,常温下 价带中价电子很容易获得能量来填补这个能级,从而产生空穴),因其接受 电子而产生空穴,称为受主杂质 杂质半导体的载流子浓度:在杂质半导体中,载流子是由杂质电离和本征激 发两个过程产生的,杂质电离只能产生一种载流子(施主杂质是自由电子, 受主杂质是空穴),在常温下杂质原子几乎全部电离,由杂质电离产生的载 流子浓度等于掺入杂质的浓度。掺杂越多,多子数目就越多,少子数目就越 少,但它们之间的定量关系服从下面两个约束 (1)、在热平衡状态下,满足相应的热平衡条件:当温度一定时,两种载电子成为带正电荷的磷离子（但其束缚在晶格中，不能移动，不能象载流子， 那样起导电作用），因其施放电子，故称施主杂质。与本征激发相比，N型 半导体中自由电子浓度大大增加，而空穴因与自由电子相遇而复合机会增加 浓度反而更小了。杂质半导体中载流子浓度不再相等，多的称为多数载流子 又称多子，少的称为少数载流子，又称少子。 2、P型半导体：硼只有三个价电子，在与相邻的硅原子形成共价键时，缺少一 个价电子，因而形成一个空穴，这个空穴不是释放价电子形成的，不会同时 产生自由电子，而自由电子因与空穴相遇而复合机会增加浓度反而更小了。 当空穴由相邻共价键中的价电子填补时（相当于空穴移动），硼原子由于接 受一个电子成为带负电的硼离子（受主杂质能级比较低，接近价带，常温下 价带中价电子很容易获得能量来填补这个能级，从而产生空穴），因其接受 电子而产生空穴，称为受主杂质。 3、杂质半导体的载流子浓度：在杂质半导体中，载流子是由杂质电离和本征激 发两个过程产生的，杂质电离只能产生一种载流子（施主杂质是自由电子， 受主杂质是空穴），在常温下杂质原子几乎全部电离，由杂质电离产生的载 流子浓度等于掺入杂质的浓度。掺杂越多，多子数目就越多，少子数目就越 少，但它们之间的定量关系服从下面两个约束： （1）、在热平衡状态下，满足相应的热平衡条件：当温度一定时，两种载