第二节半导体存储器 工艺/双极型∫TL型 >速度很快、功耗大、 ECL型容量小 PMOS M0S型 电路结构NMs> 功耗小、容量大 CMOS (静态M0S除外) 工作方式{静态MS 静态存储器SRAM(双极型、静态M0S型) 存储信 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机 息原理制存储信息。功耗较大速度快,作 Cache 动态存储器DRAM(动态M0S型 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。第二节 半导体存储器 工艺 双极型 MOS型 TTL型 ECL型 速度很快、功耗大、 容量小 电路结构 PMOS NMOS CMOS 功耗小、容量大 工作方式 静态MOS 动态MOS 存储信 息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM （双极型、静态MOS型）： 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机 制存储信息。 （动态MOS型）： 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较大,速度快,作Cache。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 （静态MOS除外）