电流分配与控制 在发射结正偏,集电结反偏条件下,三极管中载 流子的运动: 1)发射区向基 N P 区注入电子: LEP 在VB作用下,e 发射区向基区 EN ●●C ●● 注入电子形成 CBO eNS 基区空穴 向发射区扩散 形成Ip BB CC EN 27 EP ,方向 相同 空穴·电子电流方向电流分配与控制 在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载 流子的运动： (1)发射区向基 区注入电子： 在VBB作用下， 发射区向基区 注入电子形成 IEN，基区空穴 向发射区扩散 形成IEP。 IEN >> IEP方向 相同 VBB VCC