第二代半导体材料-砷化镓(GaAs) ■硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用, 但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电 子领域的应用。 ■GaAs相比硅和锗,有很多优异特性,如电子迁移率 高,禁带宽度大,直接跃迁型能带结构,负阻效应 ■随着以光通信为基础的信息髙速公路的崛起和社会 信息化的发展第二代半导体材料崭露头角,砷化镓 和磷化铟(InP)半导体激光器成为光通信系统中的关 键元器件第二代半导体材料---砷化镓(GaAs) ◼ 硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用, 但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电 子领域的应用。 ◼ GaAs相比硅和锗,有很多优异特性, 如电子迁移率 高,禁带宽度大,直接跃迁型能带结构,负阻效应. ◼ 随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会 信息化的发展,第二代半导体材料崭露头角,砷化镓 和磷化铟(InP)半导体激光器成为光通信系统中的关 键元器件