·128 北京科技大学学报 第36卷 由图1可知，当Mg0的质量分数在0%~10% 控制在10%左右，而若控制在低熔点区域2，Mg0的 之间时，低熔点区域1的面积增加，并于10%时达 质量分数应控制在5%左右 到最大，当Mg0高于10%时，低熔点区域1的面积 1.2Al,03、Ca0以及Si02对夹杂物低熔点区域 出现减小的趋势.低熔点区域2仅出现在Mg0的 的影响 质量分数很小的时候，当Mg0的质量分数达到10% 分别作出不同A山，0，、Ca0以及SiO2的质量分 时，低熔点区域2消失，当Mg0的质量分数为5% 数时其余三种组元1400℃液相线投影图，得出相应 时，低熔点区域2的面积最大.因此，如需将夹杂物 相图中低熔点区域随成分的变化曲线，如图3和图 成分控制在低熔点区域1，最好将MgO的质量分数 4所示. 200 20 (a) ▣区域2 国区域2 区域1 16 区域1 10 8 5 0 0 0 10 20 30 40 50 60 0 10 20 30 40 50 60 (A1,O% e(CaO)/ 图3低熔点区所占面积比例随A山203(a)和Ca0(b)的质量分数的变化 Fig.3 Changes of low melting area proportion with the mass fraction of Al,O3 (a)and Ca0(b) 0r 50h) ▣区域2 ■区域1 40 6 10 0 10 15 20 30 35 4045 50 55 (SiO.9 w(SiO.9 图4低熔点区所占面积比例随SO2的质量分数的变化 Fig.4 Changes of low melting area proportion with the mass fraction of Si0, 根据图3可知，随着AL,03的质量分数的增加， 如图4为低熔点区比例随SiO2的质量分数的 低熔点区域1的面积先增多后减少，在35%时低熔 变化图，当Si02的质量分数小于7.5%，存在少量低 点区域1消失，其中A山，03的质量分数在15%~ 熔点区，且Si0,的质量分数小于5%时，低熔点区面 20%时，低熔点区域1的面积最大：低熔点区域2 积较高；当Si02的质量分数大于35%时，低熔点区 在A山，03的质量分数为30%以后出现，其的质量 域的面积快速增加，并随着SiO2的质量分数的增 分数在45%~50%时，低熔点区域2面积最大. 加，低熔点区域面积增加 Ca0的质量分数小于35%时，低熔点区域2未出 由上可知，如要将Ca0-A山，03-Si02-Mg0四元 现，低熔点区域1的面积先增大后减小，Ca0的质 系夹杂物控制在低熔点区（温度小于1400℃），则有 量分数为30%时，低熔点区域1所占比例最大：当 两个区域可以选择，而其控制区域的选择由具体钢 Ca0的质量分数大于40%时，低熔点区域2出现， 种决定.如果将夹杂物成分控制在区域1，则夹杂物 Ca0的质量分数在50%左右时，低熔点区域2面 中各组元成分的控制范围是：Ca0在30%左右， 积最大. Al,03在15%左右，Mg0在10%左右，Si02大于北 京 科 技 大 学 学 报 第 36 卷 由图 1 可知，当 MgO 的质量分数在 0% ～ 10% 之间时，低熔点区域 1 的面积增加，并于 10% 时达 到最大，当 MgO 高于 10% 时，低熔点区域 1 的面积 出现减小的趋势． 低熔点区域 2 仅出现在 MgO 的 质量分数很小的时候，当 MgO 的质量分数达到10% 时，低熔点区域 2 消失，当 MgO 的质量分数为 5% 时，低熔点区域 2 的面积最大． 因此，如需将夹杂物 成分控制在低熔点区域 1，最好将 MgO 的质量分数 控制在 10% 左右，而若控制在低熔点区域 2，MgO 的 质量分数应控制在 5% 左右． 1. 2 Al2O3、CaO 以及 SiO2 对夹杂物低熔点区域 的影响 分别作出不同 Al2O3、CaO 以及 SiO2 的质量分 数时其余三种组元 1400 ℃液相线投影图，得出相应 相图中低熔点区域随成分的变化曲线，如图 3 和图 4 所示． 图 3 低熔点区所占面积比例随 Al2O3 ( a) 和 CaO ( b) 的质量分数的变化 Fig． 3 Changes of low melting area proportion with the mass fraction of Al2O3 ( a) and CaO ( b) 图 4 低熔点区所占面积比例随 SiO2 的质量分数的变化 Fig． 4 Changes of low melting area proportion with the mass fraction of SiO2 根据图 3 可知，随着 Al2O3 的质量分数的增加， 低熔点区域 1 的面积先增多后减少，在 35% 时低熔 点区域 1 消失，其中 Al2O3 的质量分数在 15% ～ 20% 时，低熔点区域 1 的面积最大; 低熔点区域 2 在 Al2O3 的质量分数为 30% 以后出现，其的质量 分数在 45% ～ 50% 时，低 熔 点 区 域 2 面 积 最 大． CaO 的质量分数小于 35% 时，低熔点区域 2 未出 现，低熔点区域 1 的面积先增大后减小，CaO 的质 量分数为 30% 时，低熔点区域 1 所占比例最大; 当 CaO 的质量分数大于 40% 时，低熔点区域 2 出现， CaO 的质量分数在 50% 左右时，低熔点区域 2 面 积最大． 如图 4 为低熔点区比例随 SiO2 的质量分数的 变化图，当 SiO2 的质量分数小于 7. 5% ，存在少量低 熔点区，且 SiO2 的质量分数小于 5% 时，低熔点区面 积较高; 当 SiO2 的质量分数大于 35% 时，低熔点区 域的面积快速增加，并随着 SiO2 的质量分数的增 加，低熔点区域面积增加． 由上可知，如要将 CaO--Al2O3--SiO2--MgO 四元 系夹杂物控制在低熔点区( 温度小于 1400 ℃ ) ，则有 两个区域可以选择，而其控制区域的选择由具体钢 种决定． 如果将夹杂物成分控制在区域 1，则夹杂物 中各组元成分的控制范围是: CaO 在 30% 左 右， Al2O3 在 15% 左 右，MgO 在 10% 左 右，SiO2 大 于 ·128·