第一章电子测量及测量技术基础 (5)电容测量。 转动挡位开关置于10ⅴ位置,将被测电容串接于任一测试棒,而 后并联于10V交流电压电路中进行测量。 (6)电感测量。 电感测量与电容测量方法相同 (7)晶体管直流参数的测量。 ①直流放大倍数hFE的测量。 先转动挡位开关至晶体管调节ADJ位置上,将红黑测试棒短接,调节 欧姆旋钮,使指针对准300hFE刻度线上,然后转动挡位开关到hFE 位置,将待测晶体管管脚分别插入晶体管测试座的e、b、c管座内 指针偏转所示数值为晶体管的直流放大倍数β值。N型晶体管应插入 N型管孔内,P型晶体管则应插入P型管孔内第一章 电子测量及测量技术基础 （5）电容测量。 转 动挡位开 关置 于 10V 位置，将被测电容串接于任一测试棒，而 后并 联于 10V 交流电压电路中进行测量。 （6）电感测量。 电感测量与电容测量方法相同。 （7）晶体管直流参数的测量。 ① 直流放大倍数 hFE 的测量。 先转动挡位开关至晶体管调节 ADJ 位置上，将红黑测试棒短接，调节 欧姆旋钮，使指针对准 300hFE 刻度线上，然后转动挡位开关到 hFE 位置，将待测晶体管管 脚分别插入晶体管测试座的 e、b、c 管座内， 指针偏转所示数值为晶体管的直流放大倍数 β 值。N 型晶体管应插入 N 型管孔内，P 型晶体管则应插入 P 型管孔内