7.1.1FET电流源电路 3.组合电流源 除宽长比外， +VDD To~T3特性相同， IDO=IREF VGS4 VGs5 T4、T特性相同 00 S4 S5 g4gs十 T go NMOS I2= (WIL)zIwer d4 PMOS ds (W/L)1 d3 1() (W1L)1 T;NMOS +NMOS I5= 11,= WIDsI3 VGS2 VGS3 (W1L)4 4(W1L)4 (WIL)s(WIL)2Igwr -Vss (W1L)4(W1L)1 需保证所有管子工作在饱和区7.1.1 FET电流源电路 3. 组合电流源 除宽长比外， T0~T3特性相同， T4、T5特性相同 REF 1 2 2 ( / ) ( / ) I W L W L I  REF 1 3 3 ( / ) ( / ) I W L W L I  REF 1 3 4 5 3 4 5 4 4 5 5 ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) I W L W L W L W L I W L W L I W L W L I    需保证所有管子工作在饱和区