湖南人文科技学院田汉平 /R 而 B-B≈0.038mA 故此时BJT工作在饱和区 500 kQ40kQ4 kQ B =o m R T S与B相连时 B=80 B (12-0.6)V 20k9 0.000023A=0.023mA 500×1039 上12V 有lB<ls,故此时BT工作在放大区,le=B 80×0.023mA=1.84mA。 S与C相连时,BJT的发射结反偏,工作在 图题4.2.2 截止区,l≈0。 4.2.3测量某硅BT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。 (a)Vc=6v V8=0.7V VE=0V (b)Vc=6v Va=2V Vr=1.3 V (c)V=6V Vr=6V V:=5.4V (d)Vc=6V VB=4VVE=3.6V )vc=3.6Vv=4VV=3.4V 解:(a)放大区,因发射结正偏,集电结反偏。 (b)放大区,VB=(2-1.3)V=0.7V,V=(6-2)V=4V,发射结 正偏,集电结反偏。 (c)饱和区。 (d)截止区。 (e)饱和区。 4.3放大电路的分析方法 4.3.1BJT的输出特性如图题43.1所示。求该器件的β值;当i= 10mA和ic=20mA时,管子的饱和压降Vs为多少? 解:由图题4.3.1可知,当△iB=10μA时,△i=2mA,故β4200; 当ic=10mA时,vcs≈=0.3;i=20mA时,Vcs≈0.8V 4.3.2设输出特性如图题4.3.1所示的BT接入图题43.2所示的电路, 图中vc=15V,R。=1.5kΩ,i=20μA,求该器件的Q点。 解:由题4.3.1已求得β=200,故图题4.3.2所示电路中的湖南人文科技学院 田汉平 4