实验时通过改变硅光电池与光源间距离来改变照度,硅光电池的位置修正值由实验室 提供 测量时,请考虑测量数据分布的合理性 R 图4测量硅光电池伏安特性的接线图 2.研究硅光电池的伏安特性 (1)旋转偏振片使光照度最强 (2)按图4(a)电路,测量无偏压状态下的伏安特性曲线,实验点不少于12个(包 括开路电压点); (3)保持光照不变,按图4(b)电路,测量反向偏压状态下伏安特性曲线,实验点 不少于12个(小于5V) (4)用短路线替换负载电阻,测出此时的短路电流. (5)通过偏振片改变光照度(偏振片旋转15、30和45度),重复上述测量 3.光谱特性:研究硅光电池对不同入射波长的响应 2.设计一项具体应用,并得出实验结果 (1)设计一个测量高锰酸钾溶液浓度与透射率关系的实验装置 (2)验证马吕斯定律(交叉偏振片透射光强与偏振轴交角的关系:= lo cos20) 【注意事项】 切勿用手摸光学器件.若光学器件表面有沾污和灰尘,应请指导教师处理 【预习思考题】 1.为什么可以通过测量取样电阻的电压值得到此时的短路电流值? 2.实验时光源的相对光强发生了变化,对测量结果有何影响? 3.在利用图4(b)测量硅光电池的反向偏压状态下伏安特性曲线时,如果稳压源接 反会出现什么结果 4.图4(b)中的R和R起什么作用? 【思考题】 请利用硅光电池的伏安特性实验数据分析总结硅光电池的输出电阻与光照的关系 硅光电池的输出与入射光照射瞬间有没有滞后现象?可否用实验证明.实验时通过改变硅光电池与光源间距离来改变照度，硅光电池的位置修正值由实验室 提供； 测量时，请考虑测量数据分布的合理性． （a） (b) 图 4 测量硅光电池伏安特性的接线图 2．研究硅光电池的伏安特性 （1）旋转偏振片使光照度最强 （2）按图 4（a）电路，测量无偏压状态下的伏安特性曲线，实验点不少于 12 个（包 括开路电压点）； （3）保持光照不变，按图 4（b）电路，测量反向偏压状态下伏安特性曲线，实验点 不少于 12 个（小于 5 V）； （4）用短路线替换负载电阻，测出此时的短路电流． （5）通过偏振片改变光照度（偏振片旋转 15、30 和 45 度），重复上述测量． 3．光谱特性：研究硅光电池对不同入射波长的响应 *2．设计一项具体应用，并得出实验结果． （1）设计一个测量高锰酸钾溶液浓度与透射率关系的实验装置． （2）验证马吕斯定律（交叉偏振片透射光强与偏振轴交角的关系：I = I0 cos 2 θ） 【注意事项】 切勿用手摸光学器件．若光学器件表面有沾污和灰尘，应请指导教师处理． 【预习思考题】 1． 为什么可以通过测量取样电阻的电压值得到此时的短路电流值？ 2． 实验时光源的相对光强发生了变化，对测量结果有何影响？ 3． 在利用图 4（b）测量硅光电池的反向偏压状态下伏安特性曲线时，如果稳压源接 反会出现什么结果？ 4． 图 4（b）中的R和R1起什么作用？ 【思考题】 1．请利用硅光电池的伏安特性实验数据分析总结硅光电池的输出电阻与光照的关系． 2．硅光电池的输出与入射光照射瞬间有没有滞后现象？可否用实验证明． - 50 -