638 工程科学学报，第42卷.第5期 (a) (b) Fe;O Fe2pu Fe2pse Sn3pI Si2p Fe,O.@SiO, Fe,O.@SnO,-1 人从 Fe2p Fe,O.@SnO.21 Cis Si2p 12001000 800600400 200 0 730 725720715 710705 Binding energy/eV Binding energy/eV (c) (d) Sn3Pve Fe2pin Fe2pa2 Sn3dsn Sn3d 730 725720715710705500 495 490 485 480 Binding energy/eV Binding energy/eV 图2不同试样的X射线光电子能谱.(a)总谱：(b)FeO,@SnO2-1中的Fe2p谐：(c)Fe:O@SnO2-2中的Fe2p谱：(d)FezO,@SnO2-2中的 Sn3d谱 Fig.2 XPS spectra of different samples:(a)XPS wide scan;(b)Fe2p spectrum of Fe:O@SnO,-1;(c)Fe2p spectrum of Fe:O@SnO,-2;(d)Sn3d spectrum of Fe:O@SnO2-2 (a) b 500nm 500nm d 500nm 500nm 图3试样微观结构形貌图.(a)Fe,0a:(b)Fe,0u@SiO2:(c)Fe,O,@SnOz-l:(d)Fe3O,@SnO2--2 Fig.3 SEM and TEM images of samples:(a)Fe:O;(b)Fe3O@SiO;(c)Fe:O@SnO2-1;(d)Fe:O@SnO2-2 结合X射线光电子能谱分析，反应过程中 逐渐转化为硅酸盐的形式缓慢溢出.再加上 Fe3O4@SnO2-2中的SiO2薄膜由于受到碱液刻蚀， SnO2纳米粒子在其周围的不断生成，因此可推知结 合 X 射线光电子能谱分析 ，反应过程 中 Fe3O4@SnO2 -2 中的 SiO2 薄膜由于受到碱液刻蚀， 逐渐转化为硅酸盐的形式缓慢溢出 . 再 加 上 SnO2 纳米粒子在其周围的不断生成，因此可推知 Fe3O4 Fe3O4@SiO2 Fe3O4@SnO2 -1 Fe3O4@SnO2 -2 Fe2p Sn3d O1s 1200 1000 800 600 400 200 0 (a) Intensity Si2p Si2p C1s Binding energy/eV 730 725 720 715 710 705 Sn3p1/2 Fe2p1/2 Intensity Binding energy/eV (b) Fe2p3/2 730 725 720 715 710 705 Sn3p1/2 Fe2p1/2 Intensity Binding energy/eV (c) Fe2p3/2 500 495 490 485 480 Sn3d3/2 Intensity Binding energy/eV (d) Sn3d5/2 图 2    不同试样的 X 射线光电子能谱. （a） 总谱；（b） Fe3O4@SnO2 -1 中的 Fe2p 谱；（c） Fe3O4@SnO2 -2 中的 Fe2p 谱；（d） Fe3O4@SnO2 -2 中的 Sn3d 谱 Fig.2     XPS  spectra  of  different  samples:  (a)  XPS  wide  scan;  (b)  Fe2p  spectrum  of  Fe3O4@SnO2 -1;  (c)  Fe2p  spectrum  of  Fe3O4@SnO2 -2;  (d)  Sn3d spectrum of Fe3O4@SnO2 -2 (a) (b) 100 nm 500 nm 100 nm 500 nm (c) (d) 100 nm 500 nm 100 nm 500 nm 图 3    试样微观结构形貌图. （a） Fe3O4；（b） Fe3O4@SiO2；（c） Fe3O4@SnO2 -1；（d） Fe3O4@SnO2 -2 Fig.3    SEM and TEM images of samples: (a) Fe3O4 ; (b) Fe3O4@SiO2 ; (c) Fe3O4@SnO2 -1; (d) Fe3O4@SnO2 -2 · 638 · 工程科学学报，第 42 卷，第 5 期