杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于掺入的杂 质浓度。由于少数载流子是半导体材料共价键提供的, 因而其浓度主要取决于温度。此时电子浓度与空穴浓 度之间,可以证明有如下关系: nnPn=npI=ni- p2 即在一定温度下,电子浓度与空穴浓度的乘积是 个常数,与掺杂浓度无关。杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于掺入的杂 质浓度。由于少数载流子是半导体材料共价键提供的, 因而其浓度主要取决于温度。 此时电子浓度与空穴浓 度之间,可以证明有如下关系： 2 2 n n 1 1 1 1 n p n p n p  = = = 即在一定温度下, 电子浓度与空穴浓度的乘积是一 个常数, 与掺杂浓度无关