当每一可变因素分别有一变化量aR=24+4=-244为: 电阻 dr k a R A P L L dR d4+dp dp L A 是 d L 为横向应变 dr 电阻率相对变化量,其值与材料在轴向所受的应力有关 ea dr dl da dp dl dr dp dR =(+2y+r2E)E=K0E R pLLp,式(6-1)R 料制成的应变式传感器,称为压阻式应变式传感器,电阻的相对全增量为 dR dR (1+21)E Rea当每一可变因素分别有一变化量dL、dA和dρ时，电阻的全增量为： ( )     d A dA L dL d R R dA A R dL L R dR = − +   +   +   = L 是纵向应变 dL =  L dL r dr 为横向应变 = − = − L dL r dr  d 电阻率相对变化量，其值与材料在轴向所受的应力有关。       E d = L = L πL为材料的压阻系数 E为材料的弹性横量，因此，式（6-1）又可写为    0 (1 2 E) K R dR = + + L =     d L dR L d dL A dA L dL R dR = − + = − 2 + 电阻的相对全增量为：     d L dR L d dL A dA L dL R dR = − + = − 2 + 分析以上公式。可以看出：电阻的相对全增量由两部分构成， 一部分是形变效应而引起，另一部分是电阻率发生变化而引起的。 对金属来说，电阻变化率较小,可忽略不计，因此 ： = (1+ 2) R dR 对于某些半导体材料，受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这 种现象被称为压阻效应。电阻变化是率形变效应几十倍甚至上百倍，因此 引起半导体材料电阻相对变化的主要因素是压阻效应，利用这类半导体材 料制成的应变式传感器，称为压阻式应变式传感器，电阻的相对全增量为  E R dR = L