(2)、非理想的情况下： 实际应用中，是利用三端器件的可控开关特性来实现上 述功能的。 例如、用一个N沟道EMOS管作为模拟开关。设EMOS 管的Vcs=2V（其值不随us而变化)，变化范围为- 5V~5V。要是EMOS管可靠地通断，且保证导通时，管子必 须工作在非饱和区。 VU=-5V R （2）、非理想的情况下： 实际应用中，是利用三端器件的可控开关特性来实现上 述功能的。 例如、 用一个N沟道EMOS管作为模拟开关。设 EMOS 管的 VGS(th) =2V（其值不随vUS 而变化），vI 变化范围为 – 5V~5V。要是EMOS管可靠地通断，且保证导通时，管子必 须工作在非饱和区。 VU=-5V b vI RL vO a vG