湖南人文科技学院田汉平 数为Kp=0.2mA/V2,V=0.5V,i=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试 求此时的预夹断点栅源电压vcs和漏源电压vs等于多少? 解:在预夹断点,或饱和区,漏极电流为 即有 0.5 由此得 为使这一P沟道 MOSFET工作于饱和区,必须有 vps s(vcs -vp)=-1.08 V-0.5 V 因此,预夹断点处有 l.08V.V, 1.58V。 5.1.4设N沟道增强型 MOSFET的参数为Vr=1V,W=100μm,L= C C。x=76.7×10~F 当Vs=2Vr, MOSFET工 作在饱和区,试计算此时场效管的工作电流l 解 k咳knC 2L 100×10-4cm×650cm2/V·s×76.7×10-F/cm =498550×10F/V·s≈0.499×103F/V·s =0.499×10 3(C/V) =0.499×10 0.499mA/V 当Vs=2V1r时,由式(5.1.6)得 K(Ves -vr) =0.499×(2-1)2mA=0.499mA 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1电路如图题5.2.1(主教材图5.2.1b)所示,设Rn1=90k9,Ra2= 60kΩ,R4=30kQ,V=5V,vr=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的栅 源电压vcs和漏源电压Vnso 解 V, 5V=2V 90+60 设场效应管工作在饱和区,则漏极电流为 lD=Kn(Vs-V1)2=0.1×(2-1)2mA=0.1mA 漏源电压为湖南人文科技学院 田汉平 3