第1章常用半导体器件 当l=-5V时,晶体管饱和,uo=0.1V。因为 l1-UBE=480IA R Rb Ic=BlB=24mA T UEC=VcC -IcRC<VcO 10kQ 图P1.18 1.19分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 长r工凸KrKr 1.5V -6v (a) (c .5V 图P1.19 解:(a)可能(b)可能(c)不能 (d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏 (e)可能 1.20已知某结型场效应管的lDss=2mA, UGs oft)=-4V,试画出它的 转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出予夹断轨迹 解:根据方程 (1第 1 章 常 用 半 导 体 器 件 - 7 - 当 uI＝ － 5V 时 ， 晶 体 管 饱 和 ， u O＝ 0.1V。 因 为 24mA 480μA C B b I BE B      I I R u U I  EC CC C RC VCC U  V  I ＜ 图 P1.18 1.19 分 别 判 断 图 P1.19 所 示 各 电 路 中 晶 体 管 是 否 有 可 能 工 作 在 放 大 状 态。 图 P1.19 解 ： （ a） 可 能 （ b） 可 能 （ c） 不 能 （ d） 不 能 ， T 的 发 射 结 会 因 电 流 过 大 而 损 坏 。 （ e） 可 能 1.20 已 知 某 结 型 场 效 应 管 的 ID S S＝ 2mA， UG S （ o f f ） ＝ － 4V， 试 画 出 它 的 转 移 特 性 曲 线 和 输 出 特 性 曲 线 ， 并 近 似 画 出 予 夹 断 轨 迹 。 解 ： 根 据 方 程 2 GS(th) GS D DSS (1 ) U u i  I 