(1)C1s结合能 对C元素来讲,与自身成键(C-O或与H成键C-H时Cls电子 的结合能约为2846eV。(常作为结合能参考) 〉当用O原子来置换掉H原子后,对每一C-O键均可引起Cls电子 结合能有约15±0,e的化学位移。C-O-X中X(除X=NO2外)的 次级影响一般较小(±0.4eV);X=NO2可产生09V的附加位移。 O的次级影响(CC-O)一般较小(~0,2eV)。 卤素元素诱导向高结合能的位移可分为初级取代效应(即直接接 在C原子上)和次级取代效应(在近邻C原子上俩部分。对每 取代这些位移约为 卤素初级位移(ev)次级位移(eV) F 2.9 0.7 1.5 0.3 Br 1.0 <0.2 ◎中国鳞荤孜求大 University ef science and Technology or china(1) C1s结合能  对C元素来讲，与自身成键(C−C)或与H成键(C−H)时C1s电子 的结合能约为284.6eV。(常作为结合能参考）  当用O原子来置换掉H原子后，对每一C−O键均可引起C1s电子 结合能有约1.50.2eV的化学位移。C−O−X中X(除X=NO2 外)的 次级影响一般较小(0.4eV)；X=NO2 可产生0.9eV的附加位移。 O的次级影响（C-C-O）一般较小(～0.2eV)。  卤素元素诱导向高结合能的位移可分为初级取代效应(即直接接 在C原子上)和次级取代效应(在近邻C原子上)俩部分。对每一 取代这些位移约为: 卤素 初级位移(eV) 次级位移(eV) F 2.9 0.7 Cl 1.5 0.3 Br 1.0 <0.2