第宄章基本咒刻工艺--从曝到最终裣验 4 正光刻胶显影 对于正性光刻胶,聚合与未聚合区域的溶解 率约为1:4。这意味着在显影中总会从聚合的区域 失去一些光刻胶。使用过渡的显影液或显影时间 过长都会导致光刻胶太薄而不能使用。 通常要求不高的正光刻胶显影使用减一水溶 液和非离子溶液,对制造敏感电路使用叠氮化四 甲基铵氢氧化物的溶液。 正性光刻胶的显影工艺比负性光刻胶更为敏 感,影响的因素有:软烘焙时间和温度、曝光度 显影液浓度、时间、温度以及显影方法。显影 艺参数由所有变量的测试来决定 图94显示了一个特定的工艺参数对线宽的影响。第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －4－ ◼ 正光刻胶显影 对于正性光刻胶，聚合与未聚合区域的溶解 率约为1:4。这意味着在显影中总会从聚合的区域 失去一些光刻胶。使用过渡的显影液或显影时间 过长都会导致光刻胶太薄而不能使用。 通常要求不高的正光刻胶显影使用减－水溶 液和非离子溶液，对制造敏感电路使用叠氮化四 甲基铵氢氧化物的溶液。 正性光刻胶的显影工艺比负性光刻胶更为敏 感，影响的因素有：软烘焙时间和温度、曝光度、 显影液浓度、时间、温度以及显影方法。显影工 艺参数由所有变量的测试来决定。 图9.4显示了一个特定的工艺参数对线宽的影响