brbb’b′ 化简 +1)高频时满足 )I 可忽略 g 2)中低频:可忽略Cb’c、Cbc-纯阻性网络,可忽略rb 3)当>R1,时,可忽略r Vbe v Pc. o vce b'e 晶体管高频混合π模型 晶体管低频混合π模型 Vbe vb'eprb'ecb'e 参数 ·DMbC给定; gmVb'e C:由f计算G r由Q、V计算C 2z(C6 给定或忽略 E=(B+1)互 。由J结电阻公比v,-l= g gmV。gn5: b=8mr Po .=8m→gn=B7 13 清华大学电子工程系李冬梅 „ 化简 1）高频时满足 1/wCb′c<< rb′c， 可忽略rb′c 3）当rce>> RL′时，可忽略rce Vbe Ib Vb’e b rb’e Cb’e rbb’ b′ Cb’c e - - - + gmVb’e rce + Vce + Ic c 晶体管高频混合π模型 Vbe Ib Vb’e b rb’e rbb’ b′ e - - - + gmVb’e rce + Vce + Ic c 晶体管低频混合π模型 2）中低频： 可忽略Cb′e、 Cb′c ---纯阻性网络，可忽略rb′c V be I b V b’e b r b’e C b’e r b’c r bb’ b ′ C b’c e - - - + g m V b’e r c e + V ce + I c c 14 清华大学电子工程系李冬梅 „ 参数 V b e I b V b’e b r b’e C b’e r b’c r bb’ b ′ C b’c e - - - + g m V b’e r ce + V ce + I c c • r bb' Cb' c给定； • 由 f Cb' e T计算 2 ( ' ' ) b e b c m T C C g f + = π 给定或忽略 • rce 由 Q、VA计算 C A ce i V r ≈ • r b' e 由Je结电阻 ， EQ T e I V r = b b e e e b e V ' I r I r ' & = & = & EQ T e b e b e I V r I I r ' = = (β + 1) & & • gm m b e b m b e b b m b e V b c g r I g r I I g V I I CEQ ' ' ' β 0 = = = = m b e ∴ β 0 = g r ' T EQ b e m V I r g = ≈ ' β 0