(Ap-A1c)=999 则4c=1,4=995Kcm==995 625电路如图题62.5所示,JFET的gm=2mS,rs=20k9,求:(1)双端输出时的差模 电压增益AwD=(vol-V)/vd的值;(2)电路改为单端输出时,AwD、Avcl和KcMR的值。 解(1)差模电压增益 A kn -gm(rd rps)=-2mS[ 6.67kQ2=-133 (2)单端输出时,差模电压增益 67 共模电压增益 a=-Smn(Rl‖hs)_2×10(667×10°)=-0 1+8n(2R,)1+2×10-(20×103) 图题6.2.5 共模抑制比 667 K CMR ven033202 627电路如图题627所示,已知BJT的β1=B2=B3=50, ra=200kΩ,VBεE=0.7V,试求单端输出时的差模电压增 益AvD2、共模抑制比KcM、差模输人电阻Rd和输出电 阻Ro . kn 提示:AB两端的交流电阻 raB=ro=rce 1+ ,Re ra3+(R1‖R2)+R 解R2两端的电压为 R, (+9)=+3.I R1+R2 3+56 V2-VB33.1-0.7 A= 2mA R 12×103 图题6.2.7 23=Im4) 999 2 1 (AVD − AVC = 则 =1, = 999.5, =| |= 999.5 VC VD VC VD CMR A A A A K 6.2.5 电路如图题 6.2 .5 所示，JFET 的 gm＝2mS，rDS＝20 kΩ，求：（1）双端输出时的差模 电压增益 AVD＝（vo1-vo2）／vid 的值；（2）电路改为单端输出时，AVD1、Avc1 和 KCMR的值。 解（1）差模电压增益 id O1 O2 VD v v v A − = = −gm (Rd || rDS ) = −2mS[6.67k] = −13.3 （2）单端输出时，差模电压增益 6.67 2 1 AVD1 = AVD = − 共模电压增益 0.33 1 2 10 (20 10 ) 2 10 (6.67 10 ) 1 (2 ) ( || ) 3 3 3 3 1 = − +     = − + = − − − m s m d DS VC g R g R r A 共模抑制比 20.2 0.33 6.67 A A K VC1 VD1 CMR = = = 6.2.7电路如图题6.2.7所示，已知BJT的β1=β2=β3=50， rce=200 kΩ，VBE=0.7 V，试求单端输出时的差模电压增 益 AVD2、共模抑制比 KCMR、差模输人电阻 Rid 和输出电 阻 Ro。 提示：AB 两端的交流电阻       + + = = + 3 1 2 3 3 3 0 3 ( || ) 1 be e e AB ce r R R R R r r r  解 R2 两端的电压为 V V R R R VR EE ( 9) 3.1 3 5.6 3 1 2 2 2 + = + + = +  A mA R V V I e R BE E 2 1.2 10 3.1 0.7 3 3 2 3 3 =  − = − = I E I E I E 1mA 2 1 1 = 2 = 3 =