2、DRAM SRAM功耗高,体积大,大容(选择线 存储 量存储器一般都采用DRAM 单元 “写 线 DRAM存储依赖MOS管栅极的 寄生电容效应原理制成的。 写入刷 新控制 C上电荷也不能长时间维持, Ts 所以还必须定时对电容充电, 称为再生或刷新。 Y(列选择线) 图8.1.2三管动态存储单元SRAM功耗高，体积大，大容 量存储器一般都采用DRAM DRAM存储依赖MOS管栅极的 寄生电容效应原理制成的。 2、DRAM C上电荷也不能长时间维持， 所以还必须定时对电容充电， 称为再生或刷新