第二节MOs晶体管的工作原理 MOS晶体管的全称为 MOSFET( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),它 是构成ⅤLSI的基本元件,下面我们简单介绍MOS晶体管的工作原理 半导体的表面场效应 在垂直于半导体表面的电场作用下,半导体表面层中的载流子数目会发生变化,从而使 半导体的导电能力发生变化,这种效应称为半导体表面场效应 1.图1是一块P型半导体,它体内的载流子—一空穴的分布是均匀的 图1 2.在半导体表面上安装一块与之平行的金属板,并在金属板与半导体之间加一个电压, 金属板与半导体之间就会产生一个与表面垂直的电场。如果金属板接正极,半导体接负极, 在电场作用下,P型半导体表面的空穴被排斥到体内,表面空穴减少了。如图2所示 3.随着电场强度的不断增强,表面空穴不断减少,当电场增强到一定值时,P型半导 体表面层中的空穴几乎全部被赶走,使表面形成“耗尽区”,如图3所示。 ↓+↓*↓↓ 耗尽层(高阻区) 图3第二节 MOS 晶体管的工作原理 MOS 晶体管的全称为 MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），它 是构成 VLSI 的基本元件，下面我们简单介绍 MOS 晶体管的工作原理。 一． 半导体的表面场效应 在垂直于半导体表面的电场作用下，半导体表面层中的载流子数目会发生变化，从而使 半导体的导电能力发生变化，这种效应称为半导体表面场效应。 1．图 1 是一块 P 型半导体，它体内的载流子——空穴的分布是均匀的。 2．在半导体表面上安装一块与之平行的金属板，并在金属板与半导体之间加一个电压， 金属板与半导体之间就会产生一个与表面垂直的电场。如果金属板接正极，半导体接负极， 在电场作用下，P 型半导体表面的空穴被排斥到体内，表面空穴减少了。如图 2 所示。 3．随着电场强度的不断增强，表面空穴不断减少，当电场增强到一定值时，P 型半导 体表面层中的空穴几乎全部被赶走，使表面形成“耗尽区”，如图 3 所示。 图 1 图 2 图 3 耗尽层（高阻区）