§8.3由环路构成的电路模电路 在目前由BJT、FET、GaAS(砷化镓)FET组成的各种各样的电流模电路中,应用TL 回路原理的电流模电路占有相当大的比重。特别是在当代双极工艺高速、宽频带集成电 路与系统中,其作用尤为突出,因此这里讨论几个TL回路基本电流模单元电路。 典型甲乙类推挽电流模单元 设图所示电路中晶体管T1T4具有 相同的发射区面积,相同的结温,并工 B+ 作在同一条件下,则按TL环路原理可得 B 1c2 (7-3-1) T3 当i1=0时(静态),T1,T2的工作状态电流 T c2-B+ T2 B和IB是T3和T4中的偏置电流。 lC 当i1≠0时(动态)的状况,这时电路中的电流关系 c2 i+i1或i。1=i 1 c2 1 利用式(7-3-1)可得 图7.3.1甲乙类互 补电流模单元 ic(ic +in EIR=i(ic2-in)在目前由 BJT、FET、GaAS（砷化镓）FET 组成的各种各样的电流模电路中，应用 TL 回路原理的电流模电路占有相当大的比重。特别是在当代双极工艺高速、宽频带集成电 路与系统中，其作用尤为突出，因此这里讨论几个 TL 回路基本电流模单元电路。 §8.3由TL环路构成的电路模电路 一 典型甲乙类推挽电流模单元 图7.3.1 甲乙类互 补电流模单元 i1 iC2 iC1 IB 设图所示电路中晶体管 T1 -T4 具有 相同的发射区面积，相同的结温，并工 作在同一条件下，则按 TL 环路原理可得 c1 c2 2 B I = i  i （7-3-1） 当 i1 =0 时（静态），T1 ,T2的工作状态电流 Ic1=Ic2=IB+=IB-=IB IB+和 IB-是 T3和 T4中的偏置电流。 当 i1≠0 时（动态）的状况，这时电路中的电流关系 ic2=ic1+i1 或 ic1=ic2-i1 利用式（7-3-1）可得 ( ) c1 c1 1 2 B I = i i + i 或 ( ) c2 c2 1 2 B I = i i − i IB+ IB-