Uoe/V 开路电压 0.5 20 0.4 16 0.3 短路电流 2 0.2 8 0.1 200040006000800010000 E/L 图1硅光电池的光照特性曲线 硅光电池开路电压与照度特性见图1. 2.硅光电池的伏安特性 当硅光电池接上负载R时，硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态.它 的伏安特性见图2.图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： (1)反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）： (2)无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大. UN-3.0-25-2.0-1.5-1.0050 100200300400 U/mY R大 -10 E -15 -20- E -25 R小 E 反向偏置电压状态 I/uA 无偏置电压状态 图2硅光电池的伏安特性曲线 由图2可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流，在电压轴上的 截距即为开路电压'oc. 3.硅光电池的光谱响应 图3为硅光电池的光谱特性曲线.即相对灵敏度K,和入射光波长1的关系曲线.从图 4中可看出，硅光电池的有效范围约在450一1100nm之间. 硅光电池的灵敏度K为 K(a)= P(a) (4) )T)△入 -48-图 1 硅光电池的光照特性曲线 硅光电池开路电压与照度特性见图 1． 2．硅光电池的伏安特性 当硅光电池接上负载 R 时，硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态．它 的伏安特性见图 2．图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： （1）反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； （2）无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大． 由图 2 可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流IPh，在电压轴上的 截距即为开路电压VOC． 图 2 硅光电池的伏安特性曲线 3．硅光电池的光谱响应． 图 3 为硅光电池的光谱特性曲线．即相对灵敏度Kr 和入射光波长λ 的关系曲线．从图 4 中可看出，硅光电池的有效范围约在 450—1100 nm之间． 硅光电池的灵敏度 K 为 ( ) ( ) () () λλλη λ λ Δ = T P K （4） - 48 -