腰处为平面波前，如图6()所示。而当侧向的波导机构是由复折射率的虚数部 分起主要作用时（即增益波导），则在该方向的光场分布如图6(6)所示，在腔内 距腔面为D(称像散量)的地方出现虚腰，这也是外部观察者所能看到的最小近场 宽度，真正的束腰在腔中心。因此，从传播方向看去.两个方向的合成波前呈 圆柱面，如图6(c)所示。这种输出光是像散的。其影响是用球透镜对解理腔面 成像时，虚腰的像面与腔面的像面（即横向光场束腰的像面）不对应同一处。其 后果是远场分布出现“兔耳”状，在早期的氧化条形激光器中出现这种远场情 况。同时，像差的存在使侧向模式增多，光谱线宽加宽。这给应用带来很大困 难，除非采取消像差的措施，否则很难用一般的光学系统聚焦到很小的光斑， 焦斑上光场分布不均匀，也很难使激光器与单模光纤高效率地耦合。即使是侧 向有折射率波导限制的情况，由于载流子侧向分布的影响，也很难使上述表征 像散大小的D值为零，一般在2μm以上。 前 来服废束腰 (e) 图6增益波导激光器波前 (a)垂直于结平面方向：(b)平行于结平面方向：(c)合成波前 半导体激光器的激射波长是由禁带宽度Eg决定的，然而这一波长也必须满 足谐振腔内的驻波条件，谐振条件决定着激光激射波长的精细结构或纵模模谱。 因为不同振荡波长间不存在损耗的差别，而它们的增益差又小，故除了由禁带 宽度g所决定的波长能在腔内振荡外，在它周围还有一些满足谐振腔驻波条件 的波长也可能在有源介质的增益带宽内获得足够的增益而起振。因而有可能存 在一系列振荡波长，每一波长构成一个振荡模式，称之为腔模或纵模，并由它 构成一个纵模谱，如图7所示。这些纵模之间的间隔△.和△v为： △=122neL (6) △v-c/2nL (7) 式中，入为激射波长：c为光速：n为有源材料的群折射率。 一般的半导体激光器其纵模间隔为0.5~lm,而激光介质的增益谱宽为数 4 腰处为平面波前，如图 6(a)所示。而当侧向的波导机构是由复折射率的虚数部 分起主要作用时(即增益波导)，则在该方向的光场分布如图 6(b)所示，在腔内 距腔面为 D(称像散量)的地方出现虚腰，这也是外部观察者所能看到的最小近场 宽度，真正的束腰在腔中心。因此，从传播方向看去．两个方向的合成波前呈 圆柱面，如图 6(c)所示。这种输出光是像散的。其影响是用球透镜对解理腔面 成像时，虚腰的像面与腔面的像面(即横向光场束腰的像面)不对应同一处。其 后果是远场分布出现“兔耳”状，在早期的氧化条形激光器中出现这种远场情 况。同时，像差的存在使侧向模式增多，光谱线宽加宽。这给应用带来很大困 难，除非采取消像差的措施，否则很难用一般的光学系统聚焦到很小的光斑， 焦斑上光场分布不均匀，也很难使激光器与单模光纤高效率地耦合。即使是侧 向有折射率波导限制的情况，由于载流子侧向分布的影响，也很难使上述表征 像散大小的 D 值为零，一般在 2μm 以上。 图 6 增益波导激光器波前 (a)垂直于结平面方向；(b)平行于结平面方向；(c)合成波前 半导体激光器的激射波长是由禁带宽度 Eg 决定的，然而这一波长也必须满 足谐振腔内的驻波条件，谐振条件决定着激光激射波长的精细结构或纵模模谱。 因为不同振荡波长间不存在损耗的差别，而它们的增益差又小，故除了由禁带 宽度 Eg 所决定的波长能在腔内振荡外，在它周围还有一些满足谐振腔驻波条件 的波长也可能在有源介质的增益带宽内获得足够的增益而起振。因而有可能存 在一系列振荡波长，每一波长构成一个振荡模式，称之为腔模或纵模，并由它 构成一个纵模谱，如图 7 所示。这些纵模之间的间隔 Δλ 和 Δν 为： Δλ=λ2 /2ngL (6) Δν=c/2ngL (7) 式中，λ为激射波长；c为光速；ng为有源材料的群折射率。 一般的半导体激光器其纵模间隔为 0.5～1nm，而激光介质的增益谱宽为数 4