§44元件型光红传感器 现以双光束干涉仪为例来分析干涉场。设信号光 与参考光的场强分别为: E1=E0Np{+s()+]三 E2=E23C冲{m+ 两光束相干产生的干涉场分布为三 E=E1o exp[i(s()+o)]+ E2o exp(io, )Exp(iot)41-5 相应的光强分布为 =+k()+一 4.4.1-6 这样,可将相位变化转换为强度变化,可以获得被 测信号的大小 目录节卡参来 第四辛。光电信息技术目录 章首 节首 上一张 下一张 结束 第四章 光电信息技术 7 现以双光束干涉仪为例来分析干涉场。设信号光 与参考光的场强分别为： 两光束相干产生的干涉场分布为 4.4.1-5 相应的光强分布为 4.4.1-6 E1 = E10 expit + s(t) + s  E2 = E20 expit +r   exp ( ( ) ) exp( )exp( ) 1 0 2 0 E E i s t E i i t = + s +  r  I = I 0 1+ k cos[s(t) +s −r ] 这样，可将相位变化转换为强度变化，可以获得被 测信号的大小。 §4.4.1元件型光纤传感器