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晶体学报 图2不同碳化硅/炭黑比例的35vo%料浆冷冻后坯体表面形貌 Fig 2 Morphology of green bodies formed by freeze-casting of 35vol% solid loading with different SiC/C ratio. a). SiC: CB=90: 10, b) SiC:CB=85:15,c).SiC:CB=70:30 参考文献 References [徐家跃展宗贵张道标等壳熔法生长技术及其应用门人工晶体学报,2009,38(1):101-106 Xu J Y, Zhan Z G, Zhang D B, et al. Skull Melting Process and Its Applications[J]Joumal of Synthetic Crystals, 2009, 38(1): 101-106(in [2]蒋民华晶体物理[M济南:山东科学技术出版社,1980253-256 [3]王旭平.KTN系列晶体的生长及其性能研究[D]济南:山东大学博士学位论文,2008 [4]申慧,徐家跃,武安华,等.光学浮区法生长YFeO3晶体A]第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C].2006410-416 [5]GBTl6159-1996,汉语拼音正词法基本规则[S] 6吴以成张国春傅佩珍等.化合物 Na: Lag BsC2非线性光学晶体及其制法和用途[P].中国专利CN1415789,2003-05-07 注:1英文作者写作方式: Tomita N,黄伯云的英文姓名写作 Huang B Y. 2除介词、冠词和连词外,单词首字母均用大写 3在作者较多,只列出前三个作者,后面的用“等”或“eta”来表示 4.作者、文章题目、文章类型、期刊名称、期(卷)和起止页码,信息务必完整 5在著录中文参考文献时应提供英文著录·208· 人工晶体学报 第 44 卷 图 2.不同碳化硅/炭黑比例的 35vol%料浆冷冻后坯体表面形貌 Fig.2 Morphology of green bodies formed by freeze-casting of 35vol% solid loading with different SiC/C ratio. a). SiC:CB=90:10, b). SiC:CB=85:15, c). SiC:CB=70:30. 参考文献 References [1] 徐家跃,展宗贵,张道标,等.壳熔法生长技术及其应用[J].人工晶体学报,2009,38(1):101-106. Xu J Y, Zhan Z G, Zhang D B, et al. Skull Melting Process and Its Applications[J].Journal of Synthetic Crystals,2009, 38(1):101-106(in Chinese). [2] 蒋民华.晶体物理[M].济南:山东科学技术出版社,1980:253-256. [3] 王旭平. KTN 系列晶体的生长及其性能研究[D].济南:山东大学博士学位论文,2008. [4] 申 慧,徐家跃,武安华,等. 光学浮区法生长 YFeO3 晶体[A]. 第 14 届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C].2006:410-416. [5] GB/T 16159-1996,汉语拼音正词法基本规则[S]. [6]吴以成,张国春,傅佩珍,等. 化合物 Na3La9B8O27 非线性光学晶体及其制法和用途[P]. 中国专利:CN1415789, 2003-05-07. 注:1.英文作者写作方式:Tomita N,黄伯云的英文姓名写作 Huang B Y. 2.除介词、冠词和连词外,单词首字母均用大写. 3.在作者较多,只列出前三个作者,后面的用“等”或“et al”来表示. 4.作者、文章题目、文章类型、期刊名称、期(卷)和起止页码,信息务必完整. 5.在著录中文参考文献时应提供英文著录
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