第1章晶体二极管及其基本电路 n1=p1=A4732eo026 式中np分别表示电子和空穴的浓度(cm3);T为热 力学温度(K);Eo为7=0K时的禁带宽度(硅为1,2leV锗 为0.78eV);k为玻尔兹曼常数(863×106VK);A0是与 半导体材料有关的常数(硅为387×10cm3:K32,锗 为176×101cm3K32)。第1章 晶体二极管及其基本电路 式中ni ,pi分别表示电子和空穴的浓度(cm–3 )；T为热 力学温度(K)；EG0为T=0K时的禁带宽度(硅为1.21eV,锗 为0.78eV)；k为玻尔兹曼常数(8.63×10–6 V/K)；A0是与 半导体材料有关的常数(硅为3.87×1016cm-3·K-3/2 ，锗 为1.76×1016cm-3·K-3/2 )。 E kT i i G n p A T e 3/ 2 / 2 0 − 0 = = (1–1)