如果在单晶硅各个方向上的腐蚀速率是均匀的 称为各向同性刻蚀,而腐蚀速率取决于晶体取向的 则称为各向异性腐蚀。在一定的条件下腐蚀具有 定的方向跃居第一,是硅单晶片腐蚀过程中的重要 特征之 (100)面 (111 110面 11如果在单晶硅各个方向上的腐蚀速率是均匀的 称为各向同性刻蚀，而腐蚀速率取决于晶体取向的 则称为各向异性腐蚀。在一定的条件下腐蚀具有一 定的方向跃居第一，是硅单晶片腐蚀过程中的重要 特征之一