§6.1MOS物理学 MOS的结构 +VG Gate voltage Gate tox Gate oxide Silicon surface p-type substrate Figure 6.2 Structure of the MOS system 6 OX ￡ax=3.9e,6=8.854×10-14F/cm 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 §6.1MOS物理学 MOS的结构中的电压 +VG>0 Voltage *ox VG M 9s p-type φs Distance Figure 6.4 Voltages in the MOS system '6='x+s V:氧化层的电压降；s:表面电势 23=-Cx'x Qs:表面电荷密度，单位：C/cm2 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性2018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 3 §6.1 MOS物理学 ox ox ox t C ε = 3.9 , 8.854 10 F/cm 14 0 0 − ε ox = ε ε = × MOS的结构 2018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 4 §6.1 MOS物理学 VG =Vox +φS QS = −CoxVox MOS的结构中的电压 Vox：氧化层的电压降；φS：表面电势 2 QS：表面电荷密度，单位：C/cm