NMSi8们 紧命得电命斜除解命段你 1、电阻负载倒相器〔非门) 电路组成: 假设th=15°+Vn0 T:N沟道增强型MoS管 G:栅极D:漏级S:源极 AF VD:电源5-10V 01 OF Vth:开启电压0.5-2V 10 Rp:漏级负载电阻25KΩ 导通条件: Ves>VthT导通 Ves<VtT截止 工作原理: 当:A=0时:Vs=0<VthT截止。F=1 当:A=5V时:Ves=5Ⅴ>VthT饱和。 集成电路中非常不希望有大电阻, F 个大电阻相当20多个管子。因此采 Rtr h=0 用Mos管做负载管。 回回阿呵回阿回回回呵回阿呵回回呵回阿回回阿回阿呵回回呵4≯疇1、电阻负载倒相器（非门） G:栅极 D:漏级 S:源极 VDD:电源 5~10V V t h:开启电压 0.5~2V RD:漏级负载电阻 25KΩ T: N沟道增强型MOS管 VGS > V t h T 导通 VGS < V t h T 截止 假设V t h＝1.5V 当：A=0时：VGS = 0 < V t h T截止。F=1 当：A=5V时： VGS = 5 V > V t h T饱和。  = 0 + = d D d DD r R r V F 集成电路中非常不希望有大电阻， 一个大电阻相当20多个管子。因此采 用MOS 管做负载管。 A F 电路组成： 导通条件： 工作原理： 0 1 1 0 G D S A F RD +VDD