因此，c与IE之间或Ic与I之间均不满足放大状态下 的电流传输方程。 在饱和模式下，它们可近似的用两导通电压表示。 即VBESa)与VBC(saD) 称为饱和导通电压 对于硅管，一般取 CB VBE(sat≈VBE(On)-0.7V VBC(sat)≈VBC(on)-0.4V VBE 当共发射极连接时： VCE=VCB VBE=VBE VBC =0.7V -0.4V =0.3V 当晶体三极管处于饱和状态时，其饱和压降为Vca 0.3V(对小功率晶体三极管而言)因此，IC 与 IE 之间或 IC 与 IB 之间均不满足放大状态下 的电流传输方程。 在饱和模式下，它们可近似的用两导通电压表示。 即 VBE(sat) 与 VBC(sat) 称为饱和导通电压 对于硅管，一般取 VBE(sat) ≈ VBE(on) =0.7V VBC(sat) ≈ VBC(on) =0.4V 当共发射极连接时： VBE VCB VCE VCE = VCB + VBE = VBE - VBC = 0.7V – 0.4V = 0.3V 当晶体三极管处于饱和状态时，其饱和压降为 VCE(sat) = 0.3V (对小功率晶体三极管而言)