2.OTFT原理、制备及表征 986 器件结构 Gate Gate Drain Source Drain Source 细绝线因 铅绝缘层 Ip. 有机半导体 有机半导体 衬底 村 P3HT D a.顶栅顶接触结构 b.顶栅底接触结构 Silicon(n) G Drain Drain Source 有机半导体 有机半导体 底栅底接触结构 船绝像层 榆绝缘 村底 衬底 ↓ 适合作气体传感器 Gate Gate c.底栅顶接触结构 d.底棚底接触结构 电子科技大学敏感材料与传廊器课程组 制作电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 器件结构 底栅底接触结构 适合作气体传感器 2. OTFT原理、制备及表征