3.半导体二极管的特性 二极管两端电压和流过电流的关系称为伏安特性。图7.1.5所 示为伏安特性曲线,由曲线可知,当二极管两端加正向电压正 偏时,二极管导通,管内有正向电流流过。二极管正向导通时, 管子两端的正向压降称为正向压降,锗管为0.1~0.3伏,硅管为 0.6~0.8伏; 当二极管两端加反 反向电压 向电压反偏时,二极管 截止,管内几乎没有电 0 D 流流过;当加在二极管 正向电压 两端的反向电压增加到斗 某一数值(反向击穿电 压)时,管内就会有急 剧增大的反向电流,此 时现象称为反向击穿 图7.1.59 3．半导体二极管的特性 二极管两端电压和流过电流的关系称为伏安特性。图7.1.5所 示为伏安特性曲线，由曲线可知，当二极管两端加正向电压正 偏时，二极管导通，管内有正向电流流过。二极管正向导通时， 管子两端的正向压降称为正向压降，锗管为0.1～0.3伏，硅管为 0.6～0.8伏； uD iD 正向电压 反向电压 反 向 击 穿 0 当二极管两端加反 向电压反偏时，二极管 截止，管内几乎没有电 流流过；当加在二极管 两端的反向电压增加到 某一数值（反向击穿电 压）时，管内就会有急 剧增大的反向电流，此 时现象称为反向击穿。 图7.1.5