如图所示的长方形半导体薄片 D端 (N型)处于图示方向的磁场中 A站 设CD方向通有直流电流，半导体内 端 的载流子将受到洛仑兹力的作用而 C端 发生偏转，在A、B两端产生电荷积 聚，因而产生霍尔电场。 如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹 力作用刚好抵消，那么小于或等于该速度的载流子 将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数 目将减少，使CD方向的电阻增大，表现横向磁阻效 应。如图所示的长方形半导体薄片 （N型）处于图示方向的磁场中， 设CD方向通有直流电流，半导体内 的载流子将受到洛仑兹力的作用而 发生偏转，在A、B两端产生电荷积 聚，因而产生霍尔电场。 如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹 力作用刚好抵消，那么小于或等于该速度的载流子 将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数 目将减少，使CD方向的电阻增大，表现横向磁阻效 应