第8章申路仿真_ 827Mos场效应晶体管 MOS场效应晶体管是现代集成电路中最常用的元器 IM99提供了四种MOXF模型,它们的伏安特性 公式各不相同,但它们基于的物理模型是相同的。 在库 Mosfet, lib中,包含了数目巨大的以工业标准部 位数命名的MOS场效应晶体管。如图8.6所示,该图简 单列出了库中包含的MOS场效应晶体管第8章 电路仿真 8.2.7 MOS场效应晶体管 MOS场效应晶体管是现代集成电路中最常用的元器 件。SIM 99提供了四种MOXFET模型，它们的伏安特性 公式各不相同，但它们基于的物理模型是相同的。 在库Mosfet.lib中，包含了数目巨大的以工业标准部 位数命名的MOS场效应晶体管。如图8.6所示，该图简 单列出了库中包含的MOS场 效应晶体管