3、饱和区： 晶体三极管工作在饱和模式，即发射结正偏，集电结正偏。 特点： (1)、VcE很小，其值小于0.3V。(仅适合小功率管) (2)、1c与1g之间不满足直流传输方程，并且有1c<BIB (3)、在工程上，一般忽略1B的影响，并以VcE=0.3V 作为放大区和饱和区的分界线 (4)、由于存在着体电阻和引线电阻，电流越大，在其上 产生的压降就越大，相应曲线开始饱和的VcE也就越大，因 此，大功率管开始饱和的VcE大于小功率管。3、饱和区： 晶体三极管工作在饱和模式，即 发射结正偏，集电结正偏。 特点： （1）、VCE 很小，其值小于0.3V。（仅适合小功率管） （2）、IC 与 IB 之间不满足直流传输方程，并且有IC < I  B （3）、在工程上，一般忽略IB 的影响，并以VCE = 0.3V 作为 放大区和饱和区的分界线 （4）、由于存在着体电阻和引线电阻，电流越大，在其上 产生的 压降就越大，相应曲线开始饱和的VCE 也就越大，因 此，大功率管开始饱和的VCE 大于小功率管