导电性：电阻率 二、半导体功能材料 1硅及其化合物材料 单晶硅、多晶硅、硅一蓝宝石、化合物半导体材料、SC薄膜材料。 2硅的材料特性 a、硅的熔点高(1400心)，约为铝的两倍，高熔点使其具有良好的高 温稳定性； b、硅的热膨胀系数比钢小8倍，比铝小10倍； c、具有很好的导热性，是不锈钢的5倍； d、硅没有机械迟滞性能，是理想的传感器和致动器材料； e、与微电子集成电路工艺兼容，易与微机械和微电子线路集成，便 于实现批量化生产。 发展史： 3、硅的晶体结构 基本上是面心立方体晶胞。硅晶胞的主平面(100)、(110)、(111) 硅材料的各向异性 4、单晶硅的生产 ©单晶硅的提纯 经过连续分馏、逆向反应及气化分离，可以得到固态的“电子级硅”，它可 以作为单晶硅生产的原料。 ©单晶硅的生长或“拉制” 常用方法：Czochralski(简称为CZ法)和悬浮区法。 。单晶硅的机械加工 ©硅的掺杂P型掺杂、N型掺杂；N型硅和P型硅一半导体材料 A、P型硅是在纯硅材料中加入了硼(B)原子：由于B原子外面 带有3个正电荷，这样当两种原子结合到一起形成共价键时，产生 空穴。 B、N型硅是在纯硅材料中加入了砷(As)或磷(P)原子：由于 硅原子外面为带有4个正电荷，而As或P原子外面带有5个正电荷， 这样当两种原子结合到一起形成共价键时，产生游离电子。导电性：电阻率 二、半导体功能材料 1 硅及其化合物材料 单晶硅、多晶硅、硅－蓝宝石、化合物半导体材料、SiC 薄膜材料。 2 硅的材料特性 a、硅的熔点高（1400̊C），约为铝的两倍，高熔点使其具有良好的高 温稳定性; b、硅的热膨胀系数比钢小 8 倍，比铝小 10 倍; c、具有很好的导热性，是不锈钢的 5 倍; d、硅没有机械迟滞性能，是理想的传感器和致动器材料; e、与微电子集成电路工艺兼容，易与微机械和微电子线路集成，便 于实现批量化生产。 发展史； 3、硅的晶体结构 基本上是面心立方体晶胞。硅晶胞的主平面（100）、（110）、（111） 硅材料的各向异性 4、单晶硅的生产 单晶硅的提纯 经过连续分馏、逆向反应及气化分离，可以得到固态的“电子级硅”，它可 以作为单晶硅生产的原料。 单晶硅的生长或“拉制” 常用方法：Czochralski(简称为 CZ 法)和悬浮区法。 单晶硅的机械加工 硅的掺杂 P 型掺杂、N 型掺杂；N 型硅和 P 型硅－半导体材料 A、P 型硅是在纯硅材料中加入了硼（B）原子：由于 B 原子外面 带有 3 个正电荷，这样当两种原子结合到一起形成共价键时，产生 空穴。 B、N 型硅是在纯硅材料中加入了砷（As）或磷（P）原子：由于 硅原子外面为带有 4 个正电荷，而 As 或 P 原子外面带有 5 个正电荷， 这样当两种原子结合到一起形成共价键时，产生游离电子